1.电子科技大学,电子科学与工程学院,四川 成都 611731;2.Abstract: 本论文提出了一种基于高阶TMn1模的共谐振扩展互作用电路系统方案,用于锁定两个扩展互作用振荡器(EIO)的相位,以在G波段产生高功率。两个独立的EIO通过一个特定设计长度Lg的间隙波导内建立的单间隙耦合场耦合,形成基于共谐振系统的锁相EIO。作为一个整体系统,重点研究了该系统在不同单间隙耦合场下的模式分析、模式跳变,从而揭示了改变Lg时两个EIO注波互作用之间相位差的变化。为了证明所提出的电路系统锁定EIO相位的有效性,我们开展粒子模拟(PIC)研究,表明当两个输出端口的输出信号之间的相位差为0和π时,会发生对应于具有不同n的TMn1模式的跳变。模拟结果表明,该锁相振荡器能够在220 GHz下产生两倍于单个振荡器的输出功率。该方案有望扩展到多个EIO之间的锁相,并在毫米波和更高频率下产生更高的功率。Key words: 扩展互作用振荡器(EIO);3.分布式电子注;4.高阶模;5.锁相;6.真空电子学
School of Electronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China,No. 2006, Xiyuan Ave, West Hi-Tech Zone, Chengdu 611731, China