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分子束外延CdTe（211）B／Si复合衬底材料
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TN3

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中国科学院上海技术物理研究所创新资助项目,国家基金创新群体项目（60221502）,致谢本项工作得到上海技术物理研究所半导体材料器件研究中心徐非凡、王正官、方维政、贺志良、杨建荣、杜美蓉的技术支持,作者表示衷心感谢.


MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH OF CdTe(211)B COMPOSITE SUBSTRATES ON SILICON
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    报道了用MBE的方法，在3英寸Si衬底上制备ZnTe／CdTe（211）B复合衬底材料的初步研究结果，该研究结果将能够直接应用于大面积Si基HgCdTe IRFPA材料的生长．经过Si（211）衬底低温表面处理、ZnTe低温成核、高温退火、高温ZnTe、CdTe层的生长研究，用MBE方法成功地获得了3英寸Si基ZnTe／CdTe（211）B复合衬底材料．CdTe厚度大于10μm，XRD FWHM平均值为120arc sec，最好达到100arc sec，无（133）孪晶和其他多晶晶向．

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引用本文

陈路 王元樟 巫艳 吴俊 于梅芳 乔怡敏 何力.分子束外延CdTe（211）B／Si复合衬底材料[J].红外与毫米波学报,2005,24(4):245~249]. Chen Lu;Wang YuanZhang;Wu Yan;Wu Jun;Yu MeiFang;Qiao YiMin;He Li. MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH OF CdTe(211)B COMPOSITE SUBSTRATES ON SILICON[J]. J. Infrared Millim. Waves,2005,24(4):245~249.]

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  • 收稿日期:2004-07-07
  • 最后修改日期:2004-07-07
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