基于CMOS工艺的横向多晶硅p^+p^-n^+结红外微测辐射热计
中图分类号:

TN4 TN215


INFRARED MICROBOLOMETER OF LATERAL POLYSILICON p + p- n + JUNCTION BASED ON STANDARD CMOS PROCESSES
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陈二柱 梁平治.基于CMOS工艺的横向多晶硅p^+p^-n^+结红外微测辐射热计[J].红外与毫米波学报,2005,24(3):227~230]. CHEN Er-Zhu, LIANG Ping-Zhi. INFRARED MICROBOLOMETER OF LATERAL POLYSILICON p + p- n + JUNCTION BASED ON STANDARD CMOS PROCESSES[J]. J. Infrared Millim. Waves,2005,24(3):227~230.]

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  • 最后修改日期:2004-06-30
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