HgCdTe红外双稳态器件分析
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    光学双稳态现象,从发现到现在虽然还只有十五年的历史,但是由于它在理论上和实用上都具有重要性,因此目前已发展成为一个十分活跃的研究领域。其中半导体光学双稳态器件估计能够具有开关快、体积小等一系列优点,所以特别受到研究工作者的重视。但迄今采用过的半导体材料,主要只有InSb、GaAs、与Te。其中InSb的工作波长常用λ_(-1)=1895cm~(-1),Te的工作波长为10.6μm,均属于红外波段。

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引用本文

陈继述. HgCdTe红外双稳态器件分析[J].红外与毫米波学报,1984,3(4):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1984,3(4).]

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